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  • 10步法則:實用的MOSFET選型方法

    10步法則:1、功率MOSFET選型第一步:P管,還是N管?2、選取封裝類型;3、選取耐壓BVDSS;4、由驅動電壓選取VTH;5、選取導通電阻RDSON,注意:不是電流;6、選取開關特性:Crss、Coss、Ciss;Qg、Qgd、Qoss;7、熱設計及校核;8、校核二極管特性;9、雪崩能量及UIS、dv/dt;10、其它參數。

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  • 以碳化硅為核心的寬禁帶半導體材料將成為電子信息產業的主宰

    材料、信息、能源構筑的當代文明社會,缺一不可。半導體不僅具有極其豐富的物理內涵,而且其性能可以置于不斷發展的精密工藝控制之下,可謂是“最有料”的材料。在不久的將來,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料的應用,無論是在軍用領域還是在民用市場,都是世界各國爭奪的戰略陣地。

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